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產品中心
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專注細節，鑄造品牌
低膨脹、長循環 氣相硅碳負極
原料優選技術Raw Material Selection
優選高致密前驅體材料作為氣相硅負極材料碳骨架，通過分子結構設計優化骨架強度，使材料膨脹進一步降低。
原料熱處理改性技術Raw-materials Thermal-treatmentTechnology
對樹脂前驅體進行獨特的熱處理改性，降低成型、預碳化階段材料的原生缺陷，進一步提升骨架強度。
多孔結構調控技術Porous Structure Regulation Technology
通過基體與活化劑的精確設計反應，對材料結構實施定向造孔與優化，對硅沉積提供高效沉積通道與填充空隙。
| 產品型號 | Particle Size (μm) | SSA | Discharge Capacity @0.1C (mAh/g) | Initial Coulombic Efficiency@0.1C (%) |
|---|---|---|---|---|
| Dv50 | （㎡/g） | 1.5V mAh/g | 1.5V % | |
| KQ100-3F | 8.0±2.0 | ≤3.0 | 1900±100 | 91.5±0.5 |
高能量密度 氣相硅碳負極
原料優化精選Raw Material Selection
優選高致密前驅體材料，制備少缺陷，高孔容，低成本的多孔炭骨架材料，進一步提升氣相硅碳產品性價比。
多孔結構調控技術Porous Structure Regulation Technology
通過基體與活化劑的精確設計反應，對材料結構實施定向造孔與優化，對硅沉積提供高效沉積通道與填充空隙。
顆粒流化態沉積技術Granular-fluidized Deposition Technology
通過設計流場大小，使骨架顆粒在設備的恒定溫場內以流體的形態在反應氣氛圍下進行均勻沉積，來獲得穩定均一的硅碳材料。
| 產品型號 | Particle Size (μm) | SSA | Discharge Capacity @0.1C (mAh/g) | Initial Coulombic Efficiency@0.1C (%) |
|---|---|---|---|---|
| Dv50 | （㎡/g） | 1.5V mAh/g | 1.5V % | |
| KQ200-1A | 7.5±2.0 | ≤3 | 2050±100 | 92.5±0.5 |
| KQ100-5 | 8.0±2.0 | ≤3.0 | 2300±100 | 94.5±0.5 |
高功率氣相硅碳負極
原料優選技術Raw Material Selection
優選高各向同性、高電導率前驅體，提升材料動力學，降低材料本征膨脹。
顆粒重整技術Particle Reforming Technology
通過先進粉體設備和制程工藝，對顆粒進行精確加工，獲得尺寸、形貌高度一致的顆粒前驅體。
多孔結構調控技術Porous Structure Regulation Technology
通過基體與活化劑的精確設計反應，對材料結構實施定向造孔與優化，對硅沉積提供高效沉積通道與填充空隙。
| 產品型號 | Particle Size (μm) | SSA | Discharge Capacity @0.1C (mAh/g) | Initial Coulombic Efficiency@0.1C (%) |
|---|---|---|---|---|
| Dv50 | （㎡/g） | 1.5V mAh/g | 1.5V % | |
| KQ300-1 | 8.0±2.0 | ≤3.0 | 1900±100 | 91.5±0.5 |